[发明专利]一种液相合成K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12钾快离子导体及其制备方法在审
申请号: | 201910617435.3 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110350242A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 水淼 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01M10/0562 | 分类号: | H01M10/0562;H01M10/058 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315211 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种液相合成K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12钾快离子导体及其制备方法,其特征为:常温钾离子电导率超过5·10‑4S/cm。采用B3+、Be2+部分取代Si4+离子,在晶体中产生间隙钾离子而降低钾离子迁移活化能;通过小离子半径的Be2+掺杂调节钾离子的迁移通道的大小以适应钾离子的快速迁移;通过Ti4+部分掺杂形成畸变的晶格结构增加晶格缺陷有利于钾离子传导;通过Cu2+、Ba2+部分掺杂形成阳离子空位增加钾离子迁移路径;并在制备过程中在K2MgSi5O12颗粒的表面进行修饰,形成易烧结特性。这些协同作用使得该钾快离子导体的常温钾离子电导率超过5·10‑4S/cm,更加接近液态电解质的钾离子电导率。 | ||
搜索关键词: | 钾离子 电导率 快离子导体 掺杂 迁移 种液 制备 离子 合成 阳离子空位 液态电解质 晶格结构 晶格缺陷 快速迁移 烧结特性 制备过程 活化能 畸变 传导 修饰 | ||
【主权项】:
1.一种液相合成K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12钾快离子导体,其特征为:常温钾离子电导率超过5·10‑4S/cm;其制备过程为将固体KNO3∶Ba(NO3)2∶Cu(NO3)2·3H2O∶硼酸∶Mg(NO3)2·6H2O按照K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12中相应元素的化学计量摩尔比的比例均匀混合,在强烈搅拌的同时加入去离子水至所有的固体物质溶解,记下所加入的去离子水的质量,其后继续加入所记录的去离子水质量1.0‑1.5倍质量的去离子水并搅拌均匀,此时继续搅拌并加入35wt%硝酸铍水溶液至溶液体系中铍的物质的量符合K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12的化学计量比,并加入物质的量为所有金属离子总量1.5‑2.5倍的酒石酸充分搅拌均匀至完全溶解;记此溶液为溶液A;将符合K2.41MgBa0.05Cu0.02Be0.2B0.15Ti0.05Si4.6O12化学计量比的正硅酸四乙酯及钛酸四丁酯溶解在体积为正硅酸四乙酯及钛酸四丁酯体积之和1.0‑1.5倍的无水乙醇中,记此溶液为溶液B;而后在搅拌下将溶液A逐滴加入溶液B中至全部加完,而后将溶液体系的温度上升到40‑50℃并保持此温度及搅拌的条件下以3‑5滴/分钟的速度继续加入去离子水,至溶液逐渐变得粘稠并形成胶冻状;将胶冻状物质在130‑200℃的烘箱中干燥20‑48小时后在研钵中研磨10‑30分钟;研磨后的粉体在空气气氛中以5‑30℃/分钟的速率升温到550‑650℃保温3‑10小时后随炉冷却;将冷却后的粉体在玛瑙碾钵中再次研磨10‑30分钟,研磨后的粉体在空气气氛中在铂坩埚中以5‑15℃/分钟的速率升温到1250‑1350℃保温25‑48小时后取出炉膛迅速冷却;将冷却后的物质研磨后在0.1‑0.3M的氢氧化钠溶液中浸泡5‑15分钟后过滤、烘干并在压力机中在1×107Pa‑8×107Pa的压力下压成薄片,将制得的薄片埋入半充满瓷舟的二氧化硅粉末中,将该瓷舟放入管式炉中在10‑60Pa的氧气气氛中以5‑10℃/分钟的速率升温到750‑850℃保温80‑150小时后随炉冷却即制成该钾快离子导体。
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