[发明专利]一种基于溶液法的氧化硅基忆阻器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910617479.6 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216791B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张宗波;李鹏飞;徐彩虹;王丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波;吕少楠 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开一种基于溶液法的氧化硅基忆阻器及其制备方法与应用。所述方法包括：1)在衬底上制备下电极，或者，提供或直接制备下电极；2)采用溶液法，以PHPS为原料，在所述下电极上制备SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 溶液 氧化 硅基忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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