[发明专利]一种改善mark点隐裂的方法在审
| 申请号： | 201910617679.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110465755A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 顾成阳;李影;宛正 | 申请（专利权）人： | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53 |
| 代理公司： | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董建林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 224400 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善mark点隐裂的方法，包括以下步骤：调整激光器参数，激光器的Power Factor 设置为50、PRF 设置为0；将激光器参数由外部控制设置为内部控制，避免了激光器参数与图形内部参数双重叠加，导致激光能量加重，打在硅片上时易造成隐裂。以激光扫描制备四个mark点，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零；mark点横向打一次，竖线分成两段与横向不重叠，分别打一次，有效避免了反复打而重叠处出现隐裂的缺陷，降低隐裂比率的同时也不影响印刷抓点。 | ||
| 搜索关键词： | 横线 竖线 隐裂 激光器参数 垂直距离 激光能量 激光扫描 内部参数 内部控制 外部控制 不重叠 激光器 重叠处 硅片 两段 相等 制备 叠加 垂直 印刷 | ||
【主权项】：
1.一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0；/n步骤二、以激光器扫描制备四个mark点，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零；/n步骤三、四个mark点均位于硅片表面，将四个mark点作为印刷对位点；/n步骤四、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。/n
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