[发明专利]真空环境下晶圆低温键合方法有效
| 申请号： | 201910618100.3 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110282598B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 冒薇;段仲伟;马冬月;祝翠梅;姚园;许爱玲 | 申请（专利权）人： | 苏州美图半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 苗建 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空环境下晶圆低温键合方法，其包括如下步骤：步骤1、第一晶圆、第二晶圆相对应键合界面裸露于真空腔室的真空环境中；步骤2、利用工作气体的等离子体对第一晶圆、第二晶圆相应的键合界面进行活化处理；步骤3、关闭等离子体源，并停止将工作气体引入真空腔室内，以使得真空腔室能达到所需的真空状态；步骤4、在第一晶圆的键合界面与第二晶圆的键合界面贴合接触至所需的时间后，能使得第一晶圆与第二晶圆键合固定；步骤5、打开键合夹具并取出键合连接后的第一晶圆与第二晶圆。本发明采用表面等离子体对晶圆表面进行物理轰击活化的方法，促进晶圆表面悬挂键的形成，从而能实现真空环境中的低温甚至是常温的晶圆直接键合。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 环境 下晶圆 低温 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空环境下晶圆低温键合方法，其特征是，所述低温键合方法包括如下步骤：步骤1、提供具有键合夹具的真空腔室，将待键合的第一晶圆、第二晶圆置于键合夹具内，对真空腔室抽真空且达到所需的真空状态后，第一晶圆、第二晶圆相对应键合界面裸露于真空腔室的真空环境中；步骤2、将工作气体引入真空腔室内且达到所需的工作压力后，启动等离子体源，使得真空腔室内产生工作气体的等离子体，以利用所产生工作气体的等离子体对第一晶圆、第二晶圆相应的键合界面进行活化处理；步骤3、关闭等离子体源，并停止将工作气体引入真空腔室内，以使得真空腔室能达到所需的真空状态；步骤4、通过键合夹具使得第一晶圆的键合界面与第二晶圆的键合界面贴合接触，在第一晶圆的键合界面与第二晶圆的键合界面贴合接触至所需的时间后，能使得第一晶圆与第二晶圆键合固定；步骤5、对上述真空腔室进行破真空处理，打开键合夹具并取出键合连接后的第一晶圆与第二晶圆。
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