[发明专利]一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明制备方法包括：在P型衬底的上部形成N型轻掺杂区；在轻掺杂区中刻蚀形成U型槽；在衬底表面以及U型槽表面形成栅氧化层；刻蚀所述栅氧化层；沉积栅极多晶硅层，对栅极多晶硅层进行P型离子注入并退火激活；刻蚀栅极多晶硅层；形成高K介质层；在高K介质层上沉积金属栅；定义源区和漏区的位置，对金属栅、高K介质层、栅极多晶硅层以及栅氧化层分别进行刻蚀；生长栅极侧墙；对源区、漏区进行自对准N型离子注入，并退火激活。本发明的采用高K/金属栅结构，减小了栅介质层的量子隧穿效应，改善了半浮栅晶体管的栅极漏电及其引起的功耗。

主权项

1.一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管制备方法，其特征在于，具体步骤为：在P型衬底的上部形成N型轻掺杂区；在所述轻掺杂区中刻蚀形成U型槽；在所述衬底表面以及所述U型槽表面形成栅氧化层；刻蚀所述栅氧化层，以露出部分衬底；沉积栅极多晶硅层，进行P型离子注入并退火激活；刻蚀所述栅极多晶硅层，使其覆盖所述栅氧化层并露出部分衬底；形成高K介质层；在所述高K介质层上沉积金属栅；定义源区和漏区的位置，对所述金属栅、所述高K介质层、栅极多晶硅层以及栅氧化层分别进行刻蚀；生长栅极侧墙；以及对源区、漏区进行自对准N型离子注入，并退火激活。