[发明专利]一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构在审
| 申请号： | 201910618714.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110491950A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 程吉凤;李雪;邵秀梅;邓双燕;万露红;李淘;马英杰;龚海梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人： | 郭英<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构，该结构是在光敏芯片基底背面集成一种投射红外波段的光学薄膜，通过控制光学薄膜生长厚度，可实现对光学薄膜内应力的调整，从而达到光敏芯片基底背面与正面的应力平衡，实现高平面度的光敏芯片，薄膜厚度推算方法为：通过测量特定工艺参数下不同长膜厚度对应的光敏芯片平面度PV值变化，获得膜厚度与光敏芯片平面度变化关系经验曲线，依据此关系曲线、长膜前光敏芯片PV值推算所需的长膜厚度。本发明具有精确控制、工艺集成性好等特点，解决大面阵光敏芯片的平面度控制难题，为高连通率的焦平面耦合提供新的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏芯片 平面度 光学薄膜 长膜 基底背面 变化关系 高平面度 工艺集成 关系曲线 红外波段 厚度推算 经验曲线 应力平衡 耦合 大面阵 焦平面 平衡层 铟镓砷 投射 薄膜 连通 推算 测量 生长 | ||
【主权项】：
1.一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构，其特征在于：/n所述的平衡层结构集成于光敏芯片基底的背面；其材料为透射红外波段的SiNx、ZnS、SiO2或Ti2O5光学薄膜；/n所述的平衡层厚度由光敏芯片长膜前PV值决定，需通过经验曲线推算，其推算方法为：通过一组单项实验，测量特定工艺参数下不同长膜厚度对应的光敏芯片平面度PV值变化，获得膜厚与光敏芯片平面度变化关系曲线；依据此关系曲线、长膜前光敏芯片PV值推算所需的长膜厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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