[发明专利]半导体放大器

摘要

一种半导体放大器。所述半导体放大器(1)包括晶体管(21a)和(21b)，其被并排装载在封装体(6)中的空间中的底板(2)上；匹配电路(22a)，其被装载在底板(2)上的晶体管(21a、21b)之间；匹配电路(22b)，其被装载在晶体管(21b)的与底板(2)上的晶体管(21a)相对的一侧上；输入端子(TIN)，其被安装在布线衬底(3)的一侧上；输出端子(TOUT)，其被安装在布线衬底(3)的另一侧上；以及栅极偏置端子(T1G)和(T2G)和漏极偏置端子(T1D)和(T2D)，在该位置处安装有布线衬底(3)的输入端子(TIN)和输出端子(TOUT)，并且晶体管(21a)、匹配电路(22a)、晶体管(21b)和匹配电路(22b)被线性地放置在输入端子(TIN)和输出端子(TOUT)之间。

主权项

1.一种半导体放大器，包括：/n封装体，所述封装体包括：/n金属底板；/n绝缘电路板，其被放置在所述底板上并且包括第一开口；/n绝缘侧壁部，其被放置在所述电路板上的外围部上并且包括第二开口，所述第二开口大于所述第一开口并且围绕所述第一开口，以及/n盖部，其被放置在所述侧壁部上并且密封由所述第一开口和所述第二开口形成的空间，/n第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被并排装载在所述空间中的所述底板上；/n第一匹配电路，所述第一匹配电路被装载在所述空间中的所述底板上的所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，所述第一匹配电路被连接在所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极之间；/n第二匹配电路，所述第二匹配电路被装载在所述底板上的所述空间中的所述第二晶体管附近，所述第二匹配电路相对于所述第一晶体管而位于所述第二晶体管的相对侧上，所述第二匹配电路被连接到所述第二晶体管的漏极；/n输入端子，所述输入端子被安装在所述电路板的一侧的中心处并且被连接到所述第一晶体管的栅极；/n输出端子，所述输出端子被安装在与所述电路板的所述一侧相对的另一侧的中心处，并且经由所述第二匹配电路被连接到所述第二晶体管的漏极；/n第一栅极偏置端子和第二栅极偏置端子，以在所述第一栅极偏置端子和所述第二栅极偏置端子之间夹着所述电路板的所述输入端子或所述输出端子这两者之中的一个端子的方式来设置所述第一栅极偏置端子和所述第二栅极偏置端子的位置，所述第一栅极偏置端子和所述第二栅极偏置端子被分别连接到所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极；以及/n第一漏极偏置端子和第二漏极偏置端子，以在所述第一漏极偏置端子和所述第二漏极偏置端子之间夹着所述电路板的所述输入端子和所述输出端子这两者之中的另一个端子的方式来设置所述第一漏极偏置端子和所述第二漏极偏置端子的位置，所述第一漏极偏置端子和所述第二漏极偏置端子被分别连接到所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极，/n其中，/n所述第一晶体管、所述第一匹配电路、所述第二晶体管以及所述第二匹配电路被线性地放置在所述输入端子和所述输出端子之间。/n