[发明专利]一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法在审
| 申请号： | 201910621040.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110311018A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 麦毅;吴复忠;谷肄静;李水娥;戴新义 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0445;H01L31/075;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 张梅 |
| 地址： | 550025 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法。按下述步骤进行：a.洗净导电玻璃衬底表面并吹干；b.以硅烷、氢气、甲烷/乙烷、硼烷为原料气，在导电玻璃衬底表面沉积含碳和氢的P型非晶硅薄膜层，得到含B的P型SiCx:Hy非晶硅薄膜电池窗口层，其中，x=1,y=1或2或3。本发明具有提高太阳能发电效率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 非晶硅薄膜太阳能电池 衬底表面 导电玻璃 制备 日照 非晶硅薄膜电池 太阳能发电效率 乙烷 氢气 原料气 甲烷 按下 吹干 硅烷 硼烷 洗净 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：a.洗净导电玻璃衬底表面并吹干；b.以硅烷、氢气、甲烷/乙烷、硼烷为原料气，在导电玻璃衬底表面沉积含碳和氢的P型非晶硅薄膜层，得到含B的P型SiCx:Hy非晶硅薄膜电池窗口层，其中，x=1,y=1或2或3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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