[发明专利]一种电子元件封装中Cu-Cu直接互连方法在审
申请号: | 201910622006.5 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110349871A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 侯军才;张秋美 | 申请(专利权)人: | 陕西理工大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/603 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 723000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子元件封装中Cu‑Cu直接互连方法,应用于高温的电子封装方法,包括:一、冷喷涂参数确定;二、待焊工件的装配;三、工件的氧化还原烧结连接,焊机进行焊接,在焊接的过程中始终采用稳定的压力,同时分段加热被焊Cu工件,使得被焊Cu工件在焊机中空气气氛下氧化,氧化完成后,再通入还原性气体进行还原,原位生成纳米的铜颗粒,再热压烧结,在预定的还原时间内加热、加压,随炉冷却,完成焊接。该方法利用冷喷涂处理Cu基板,施加压力,采用氧化还原反应原位生成纳米Cu颗粒实现Cu‑Cu直接互连短流程焊接方法,得到全Cu接头。 | ||
搜索关键词: | 焊接 互连 电子元件封装 原位生成纳米 焊机 烧结 冷喷涂 还原 氧化还原反应 还原性气体 中空气气氛 参数确定 待焊工件 电子封装 分段加热 施加压力 随炉冷却 氧化还原 短流程 铜颗粒 基板 再热 加热 加压 装配 应用 | ||
【主权项】:
1.一种电子元件封装中Cu‑Cu直接互连方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一、工件表面冷喷涂Cu涂层:采用冷喷涂的方法将Cu粉喷涂到两个Cu工件的焊接端面上;步骤二、工件的装配:将两个Cu工件的焊接端面对接,使其喷涂表面直接接触,再将组合好的两个Cu工件放到焊机的上下压力板中间,用于焊机通过压力板向工件施加压力;步骤三、工件的氧化还原烧结连接:焊机进行焊接,在焊接的过程中始终采用稳定的压力,同时分段加热被焊Cu工件,使得被焊Cu工件在焊机中空气气氛下氧化,氧化完成后,再通入还原性气体进行还原,原位生成纳米的铜颗粒,再热压烧结,在预定的还原时间内加热、加压,随炉冷却,完成焊接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造