[发明专利]一种集成MIM电容器的背金工艺在审
申请号: | 201910622788.2 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN110459534A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 戴世元 | 申请(专利权)人: | 南通沃特光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L27/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226300江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种集成MIM电容器的背金工艺,在衬底开槽填充的方式形成高k材料层,然后进行蚀刻填充形成叉指状金属柱,可以实现电容值的增大,且得到了Q值较高的垂直型MIM电容器结构;本发明还同时实现了集成电路和MIM电容器的背金工艺,实现了双面电极的引出,便于后续封装。 | ||
搜索关键词: | 背金 填充 蚀刻 高k材料层 双面电极 叉指状 垂直型 金属柱 电容 衬底 开槽 封装 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种集成MIM电容器的背金方法,包括如下步骤:/n(1)提供一半导体衬底,具有相对的正面和背面,所述衬底的正面上的第一区域具有可背金属化晶体管器件,且在所述正面上具有表面电极;/n(2)在所述衬底的正面上的第二区域形成沟槽,所述沟槽未贯穿所述背面,且所述沟槽的深度与所述晶体管器件延伸的深度相同;/n(3)在所述衬底上形成层间介电层,所述层间介电层的一部分填充所述沟槽,并且,在所述层间介电层内设置有连接所述表面电极的布线层;/n(4)在所述沟槽的正上方形成开口直至完全暴露所述沟槽;/n(5)在所述开口内填充高k材料形成高k材料层;/n(6)在所述高k材料层中形成多个第一金属柱;/n(7)在所述高k材料层上形成上极板,在所述上极板上覆盖第一介质层;/n(8)研磨所述衬底的背面,露出所述高k材料层和晶体管器件;/n(9)在所述高k材料层的背面侧形成多个第二金属柱,其中,所述第二金属柱与所述第一金属柱间隔排列,所述多个第一金属柱与所述多个第二金属柱呈叉指状排布;/n(10)在所述背面电镀形成下极板与连接所述晶体管器件的背面电极。/n
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