[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910623683.9 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN112216790A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;许家彰;黄瑞民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括一基底，定义有一元件区域以及一对准标记区域、一介电层设置在该基底上、一导电插塞设置在该元件区域上的该介电层中、一第一沟槽设置在该对准标记区域上的该介电层中、多个第二沟槽，设置在该第一沟槽正下方的该介电层中并且自该第一沟槽的一底面显露出来，以及一存储器叠层结构，设置在该介电层上，直接覆盖在该导电插塞的一顶面上并且填入该第一沟槽和该些第二沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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