[发明专利]紫外LED及其制备方法

摘要

本发明提供一种紫外LED及其制备方法。该紫外LED包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的非掺杂AltGa1‑tN层、N型AlwGa1‑wN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、电子阻挡层和空穴注入层；其中，空穴注入层包括至少一个子层，子层包括层叠设置的P型AluGa1‑uN层、P型AlvGa1‑vN层和P型GaN层中的至少两层；0＜t＜1、0＜w＜1、0＜y＜x＜1、0＜v≤1、0＜u≤1、u≠v。本发明提供的紫外LED，通过具有周期结构空穴注入层，能够提高发光效率。

主权项

1.一种紫外LED，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的非掺杂Al_tGa_1‑tN层、N型Al_wGa_1‑wN层、Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱层、电子阻挡层和空穴注入层；其中，所述空穴注入层包括至少一个子层，所述子层包括层叠设置的P型Al_uGa_1‑uN层、P型Al_vGa_1‑vN层和P型GaN层中的至少两层；0＜t＜1、0＜w＜1、0＜y＜x＜1、0＜v≤1、0＜u≤1、u≠v。