[发明专利]低制绒添加剂耗量的单晶硅制绒方法

摘要

本发明涉及单晶硅制备领域，尤其涉及一种低制绒添加剂耗量的单晶硅制绒方法，步骤一，粗抛，步骤二，步骤三，清洗，步骤四，制绒，步骤五，水洗，步骤六，酸洗，工艺简单、容易实现的降低制绒机添加剂耗量的方法，无需改进设备，仅需通过对制绒槽的工艺温度、循环流量和药液配比的综合设定，即可实现制绒机添加剂耗量的降低，进而达到单晶电池生产成本降低的目的，且制备出硅片的各项电性参数完全符合原定要求。

主权项

1.一种低制绒添加剂耗量的单晶硅制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，粗抛，将单晶硅放入装有330.6L溶液的粗抛槽溶液中，其中氢氧化钠浓度为1.43%，温度为65‑70℃，浸没150‑165s，取出；步骤二，水洗，将经过粗抛的单晶硅放入清洗槽内，去离子水漂洗2‑3min，取出；步骤三，前臭氧清洗，将经过清洗的单晶硅放入水槽中，通入10ppm浓度的臭氧，2‑3min后取出；步骤四，制绒，将经过前臭氧清洗的单晶硅放入制绒槽中，制绒后取出；步骤五，水洗，将经过制绒的单晶硅放入水洗槽中，去离子水漂洗2‑3min，取出；步骤六，后臭氧清洗，将经过水洗的单晶硅放入水槽中，通入12ppm浓度的臭氧，2‑3min后取出；步骤七，酸洗，将经过臭氧清洗的单晶硅放入装有207L溶液的酸洗槽中,其中氢氟酸浓度为4.02%和盐酸浓度为3.57%，漂洗3‑4min后取出；步骤八，慢提拉，将经过酸洗的单晶硅放入温度为60℃的去离子水的慢提拉槽内，由下往上以2.8mm/s的速度提升，取出；步骤九，烘干，将经过慢提拉的单晶硅放入温度为85℃的氮气烘干槽内，烘6‑7min后取出；步骤四中，制绒包括以下步骤：A，在制绒槽内投入初配液，所述初配液中包括水、碱溶液、制绒添加剂，所述水体积为308L、碱溶液体积为9.5L、制绒添加剂体积为2L，三者混合液的体积和为319.5L，占制绒槽容积的比例为95.4%，混合液中碱的浓度为1.19%，混合液中制绒添加剂的浓度为0.63%，加热至80‑84℃，槽体内部循环泵的功率为80‑90%；B，将经过前臭氧清洗的单晶硅放入湿法花篮中，然后放入经过步骤A处理的制绒槽中，制绒时间6′53″；C，向经过步骤B的制绒槽内加入补液，所述初配液中包括水、碱溶液、制绒添加剂，所述水、碱溶液、制绒添加剂三者的体积比为750:65:13，补液的温度与初配液温度相同，补液的加入量为初配液体积的2.6%。