[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201910624882.1 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN110880520A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 平濑顺司;高见义则;佐藤好弘 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一形态的摄像装置,具备:半导体层,包括第1导电型的第1区域、导电型与上述第1导电型相反的第2导电型的第2区域、以及上述第2导电型的第3区域;光电变换部,电连接于上述第1区域,将入射光变换为电荷;第1晶体管,包括第1源极、第1漏极及位于上述第2区域的上方的第1栅极,上述第1区域相当于上述第1源极或上述第1漏极;以及第2晶体管,包括第2源极、第2漏极及位于上述第3区域的上方的上述第2导电型的第2栅极,上述第1区域相当于上述第2源极或上述第2漏极,上述第2栅极电连接于上述第1区域。上述第3区域中的上述第2导电型的杂质的浓度比上述第2区域中的上述第2导电型的杂质的浓度高。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的