[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910625116.7 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110416333B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;刘星月;刘智勇;谭先华;孙博;史铁林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr |
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| 搜索关键词： | 一种 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在所述电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1‑x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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