[发明专利]一种铷掺杂浓度梯度三元正极材料及其制备方法在审
申请号: | 201910625336.X | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN110391416A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 唐浩林;王仲明;陈智伟;陈志华;詹心泉 | 申请(专利权)人: | 光鼎铷业(广州)集团有限公司 |
主分类号: | H01M4/505 | 分类号: | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 张秋燕 |
地址: | 510040 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种铷掺杂浓度梯度三元正极材料及其制备方法,该铷掺杂浓度梯度三元正极材料的化学表达式为Li1‑xRbxNi1‑a‑bCoaMnbO2,其中0.01≤x≤0.1,0.1≤a≤0.2,0.1≤b≤0.3,0.5≤1‑a‑b≤0.8;镍含量从所述正极材料颗粒的中心至表面逐渐降低,锰、钴含量从所述正极材料中心至表面逐渐升高,铷的含量在所述正极材料中均匀分布。其制备方法包含以下步骤:(1)合成浓度梯度的镍钴锰三元正极材料前驱体;(2)将浓度梯度的镍钴锰三元正极材料前驱体与锂盐、铷盐混合均匀后煅烧,得到铷掺杂浓度梯度三元正极材料。本发明中的铷掺杂三元正极材料,镍钴锰呈现梯度分布,结构稳定,振实密度高,循环寿命长;同时由于铷离子半径较大,掺杂进去后使得锂化合物形成空位,晶格空隙增大,锂离子电导率明显提高。 | ||
搜索关键词: | 三元正极材料 掺杂浓度梯度 镍钴锰 制备 浓度梯度 正极材料 前驱体 掺杂 正极材料颗粒 锂离子电导率 化学表达式 结构稳定 梯度分布 循环寿命 逐渐降低 锂化合物 铷离子 空位 晶格 振实 煅烧 铷盐 锂盐 升高 合成 | ||
【主权项】:
1.一种铷掺杂浓度梯度三元正极材料,其特征在于化学表达式为Li1‑xRbxNi1‑a‑bCoaMnbO2,其中,0.01≤x≤0.1,0.1≤a≤0.2,0.1≤b≤0.3,0.5≤1‑a‑b≤0.8;锰、钴元素的含量在所述铷掺杂浓度梯度三元正极材料由内到外呈递增趋势,镍元素的含量在所述铷掺杂浓度梯度三元正极材料由内到外呈递减趋势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光鼎铷业(广州)集团有限公司,未经光鼎铷业(广州)集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910625336.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。