[发明专利]发光二极管及其制造方法和发光装置有效
| 申请号： | 201910625633.4 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110323358B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王琳琳;尤娟娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一电极为透明电极，其中，对于波长为400nm至500nm的光，所述第二电极的透光率在65％至70％之间。所述第二电极包括金属电极层和半导体辅助层，所述金属电极层与所述发光功能层相贴合，所述半导体辅助层设置在所述金属电极层背离所述发光功能层的一侧表面上，所述金属电极层由镁银合金制成，所述金属电极层的厚度在3nm至5nm之间本发明还提供一种发光装置和一种发光二极管的制造方法。所述发光二极管显色度高，且能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一电极为透明电极，其特征在于，对于波长为400nm至500nm的光，所述第二电极的透光率在65％至70％之间，所述第二电极包括金属电极层和半导体辅助层，所述金属电极层与所述发光功能层相贴合，所述半导体辅助层设置在所述金属电极层背离所述发光功能层的一侧表面上，所述金属电极层由镁银合金制成，所述金属电极层的厚度在3nm至5nm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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