[发明专利]碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 201910625636.8 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110359087B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及提供了一种碳化硅单晶生长装置，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于第一感应加热线圈的外周；第二感应加热线圈的位置靠近承料坩埚的底部，且第二感应加热线圈的频率大于第一感应加热线圈的频率。通过在第一感应加热线圈的外侧设置第二感应加热线圈，通过控制器根据温度数据独立控制第一感应加热线圈和/或第二感应加热线圈，以达到承料坩埚内部轴向温度梯度的“微调”，从而实现精确控制轴向温度梯度、获得理想晶体生长界面、得到高质量的碳化硅单晶的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个所述承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于所述第一感应加热线圈的外周；所述第二感应加热线圈的位置靠近所述承料坩埚的底部，且所述第二感应加热线圈的频率大于所述第一感应加热线圈的频率；测温器，用于采集所述承料坩埚顶部与底部的温度数据；控制器，用于接收所述测温器发送的温度数据，并独立控制所述第一感应加热线圈和/或所述第二感应加热线圈，以调整所述承料坩埚内部的轴向温度梯度。
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