[发明专利]用于半导体器件布局的分数高度转换单元在审
| 申请号： | 201910625944.0 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110739306A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 黄志伟;阿什瓦尼·库马尔·斯里瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及用于半导体器件布局的分数高度转换单元。本文公开的主题一般涉及半导体器件，并且更具体地，涉及半导体器件布局，包括诸如包含finFET型器件的单元。例如，半导体器件可以包括finFET型器件，其布置在包括分数高度单元的标准单元结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件布局 半导体器件 标准单元结构 高度单元 转换单元 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：/n第一单元，所述第一单元包括沿第一方向排列的第一扩散类型的第一多个鳍和沿所述第一方向排列的第二扩散类型的第二多个鳍，其中，所述第一扩散类型的所述第一多个鳍的数量至少等于所述第二扩散类型的所述第二多个鳍的数量，并且其中，所述第一扩散类型的所述第一多个鳍中的一个或多个鳍位于电源电压电极下方。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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