[发明专利]一种MEMS的深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910627115.6 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110171802B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王珏斌;许开东;胡东东;车东晨 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS的深硅刻蚀方法，属于深硅刻蚀技术领域。其技术方案为：一种MEMS的深硅刻蚀方法，包括沉积步骤、清理步骤、刻蚀步骤、吹扫步骤、重复沉积步骤、重复清理步骤、重复刻蚀步骤和重复吹扫步骤，经过若干次沉积步骤，清理步骤，刻蚀步骤和吹扫步骤侧循环，样品出真空。本发明的有益效果为：本发明的深硅刻蚀方法能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，尤其是能够使传感器件元在长时间的刻蚀中，能够保持器件的完整性，以及能够满足器件设计的需求，添加吹扫步骤，可以降低真空反应腔室和样品台的温度，使真空反应腔室保持在一个恒定的范围内，有助于提供大尺寸样品刻蚀后的均匀性以及MEMS器件侧壁的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS的深硅刻蚀方法，其特征在于，包括沉积步骤、清理步骤、刻蚀步骤、吹扫步骤、重复沉积步骤、重复清理步骤、重复刻蚀步骤和重复吹扫步骤，将沉积步骤，清理步骤，刻蚀步骤和吹扫步骤进行不断的循环，循环次数与刻蚀深度为正相关的关系，经过若干次所述沉积步骤，清理步骤，刻蚀步骤和吹扫步骤侧循环，样品出真空。
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