[发明专利]用于纳米压印设备的精密对准平台的优化设计方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910627374.9 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110543655B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 朱大昌;贺香华;占旺虎;杨家谋;赖俊豪;曾俊海 申请(专利权)人: 广州大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;麦小婵
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用于纳米压印设备的精密对准平台的优化设计方法及装置,所述方法包括:获取符合设计要求的并联机构;对并联机构的结构参数进行优化计算得到并联机构的最优结构参数;根据最优结构参数计算最优输入输出映射矩阵,并修正后得到期望映射矩阵;根据优化约束对预设的拓扑优化模型进行优化求解,得到精密对准平台单元密度分布图;最后对单元密度分布图进行边界线绘制,获得由所述边界线所围成的精密对准平台加工模型。通过实施本发明能够制备出符合精度要求的精密对准平台,从而有效提高了纳米压印光刻设备精密对准平台的定位精度以及增强其平行度调整能力。
搜索关键词: 用于 纳米 压印 设备 精密 对准 平台 优化 设计 方法 装置
【主权项】:
1.一种用于纳米压印设备的精密对准平台的优化设计方法,其特征在于,包括:/n获取符合设计要求的并联原型机构;其中,所述设计要求包括要求所述并联原型机构具有平面三自由度运动的特性;/n根据预设的实际优化目标对所述并联原型机构的结构参数进行优化计算,得到并联原型机构的最优结构参数;/n根据所述最优结构参数计算最优输入输出映射矩阵,并根据预设的修正系数对所述最优输入输出映射矩阵进行修正,得到期望映射矩阵;/n以所述最优输入输出映射矩阵与所述期望映射矩阵的差值作为优化约束,对预设的拓扑优化模型进行优化求解,得到精密对准平台单元密度分布图;/n根据预设的单元密度许可阈值对所述精密对准平台单元密度分布图进行边界线绘制,获得由所述边界线所围成的精密对准平台加工模型。/n
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