[发明专利]基座、SiC单晶的制造装置和制造方法在审
| 申请号： | 201910627951.4 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110735183A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 野口骏介 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及支持SiC的单晶生长用的晶种的基座、具备该基座的SiC单晶的制造装置和制造方法。本发明的目的是提供一种基座，在用粘结剂固定了晶种的状态下，能够除去从被加热了的粘结剂中产生的气体。本发明的基座(103)是晶体生长用的晶种(102)的基座(103)，粘结晶种(102)的一侧的主面(103a)是平坦的，且具有气体透过区域(106)，气体透过区域(106)是从一侧的主面(103a)起的厚度局部变薄地形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种 气体透过 粘结剂 主面 单晶生长 晶体生长 制造装置 单晶 加热 平坦 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基座，是晶体生长用的晶种的基座，其特征在于，/n粘结所述晶种的一侧的主面是平坦的，/n所述基座具有气体透过区域，所述气体透过区域是从所述一侧的主面起的厚度局部变薄地形成的区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910627951.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
