[发明专利]垂直半导体装置

摘要

提供了一种垂直半导体装置。所述垂直半导体装置可以包括多个沟道连接图案、下绝缘层、支撑层、堆叠结构和沟道结构。沟道连接图案可以接触基底。下绝缘层可以形成在沟道连接图案上。支撑层可以形成在下绝缘层上以与沟道连接图案间隔开。支撑层可以包括掺杂有杂质的多晶硅。堆叠结构可以形成在支撑层上，堆叠结构可以包括绝缘层和栅电极以形成存储器单元串。沟道结构可以穿过堆叠结构、支撑层和下绝缘层。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道可以接触沟道连接图案。电荷存储结构和沟道可以设置为面对栅电极和支撑层。支撑层可以作为GIDL(栅极感应漏极泄漏)晶体管的栅极。