[发明专利]具有光散射图案的发光二极管在审
申请号: | 201910628391.4 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110828628A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 许暋赞;金在权;蔡钟炫;许珍又 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;李静波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种具有光散射图案的发光二极管。根据本发明的一实施例的发光二极管包括:基板;半导体叠层,布置在基板上,并包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;以及光散射件的图案,布置在基板和半导体叠层之间,光散射件包括折射率彼此不同的介电层,并具有半球形状、炮弹形状或锥形状。 | ||
搜索关键词: | 有光 散射 图案 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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