[发明专利]基于量子Zeno效应下光学材料折射率的无损耗测量装置在审
| 申请号： | 201910629143.1 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110455746A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘超;杨晓峰 | 申请（专利权）人： | 山西医科大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 14110 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 任林芳;赵江艳<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 030001山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于量子精密测量技术领域，公开了一种基于量子Zeno效应下光学材料折射率的测量装置，包括：基膜高斯光束、高阶拉盖尔高斯光束、不等臂MZ干涉仪、以及高分辨率CCD成像系统；基膜高斯光束和高阶拉盖尔高斯光束具有锁定的频率差；其中不等臂MZ干涉仪包括经第一分束镜、上臂结构和下臂结构和第二分束镜，基膜高斯光束和高阶拉盖尔高斯光束从第一分束镜的同侧入射后，分别经上臂结构和下臂结构后从两侧分别入射至第二分束镜，高分辨CCD成像系统设置在下臂结构的同侧。本发明结构简单紧凑、可在无损耗条件下实现精确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 分束镜 拉盖尔高斯光束 高斯光束 高阶 基膜 上臂结构 不等臂 入射 同侧 下臂 量子 光学材料折射率 精密测量技术 高分辨率CCD 无损耗条件 测量装置 成像系统 臂结构 高分辨 频率差 紧凑 锁定 测量 | ||
【主权项】：
1.一种基于量子Zeno效应下光学材料折射率的测量装置，其特征在于，包括：基膜高斯光束、高阶拉盖尔高斯光束、不等臂MZ干涉仪、以及高分辨率CCD成像系统；/n所述基膜高斯光束和高阶拉盖尔高斯光束具有锁定的频率差，用于向不等臂MZ干涉仪输入具有固定频差、横截面光强分布不同的两种光束；/n所述的不等臂MZ干涉仪包括经第一分束镜(3)、上臂结构和下臂结构和第二分束镜(23)，所述基膜高斯光束和高阶拉盖尔高斯光束从第一分束镜(3)的同侧入射后，经第一分束镜(3)分为两束光，这两束光分别经上臂结构和下臂结构后从两侧分别入射至第二分束镜(23)，所述高分辨CCD成像系统设置在下臂结构的同侧；其中，上臂结构为链式M-Z干涉仪组，下臂结构中设置有补偿耗散元件和带压电陶瓷的下臂反射镜(18)，还设置有用于增加光程差的传输光纤；/n所述高分辨CCD成像系统，用于对所述的不等臂MZ干涉仪的输出信号进行采集和数据分析与处理，获得晶体折射率的参数。/n
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