[发明专利]以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法有效

专利信息
申请号: 201910629811.0 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110230044B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 杜凯;汪建;何智兵;王涛;何小珊;易泰铭 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: C23C16/511 分类号: C23C16/511;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/27
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 罗健龙
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法,属于电极材料的制备技术领域。本发明解决的技术问题是现有技术制备三维BDD电极工艺复杂、耗时成本高。本发明公开了以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法,将纳米金刚石悬浮液滴到基底上,形成悬浮液薄膜,对悬浮液薄膜加热蒸发,纳米金刚石粉通过自组装在基底上形成多孔膜,然后放入微波等离子体化学气相沉积室进行沉积得到多孔掺硼金刚石电极。本发明制备工艺无模板、无粘接剂、无湿法腐蚀步骤,有效降低了三维BDD电极制备工艺的复杂性和成本,提高了制备的可重复性,有益于BDD电极大面积大规模制备。
搜索关键词: 纳米 金刚石 模板 制备 多孔 电极 方法
【主权项】:
1.以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法,其特征在于包括如下步骤:a.将纳米金刚石粉与去离子水混合制得纳米金刚石悬浮液,将悬浮液滴到基底上,在基底上形成悬浮液薄膜;b.对悬浮液薄膜加热蒸发,使纳米金刚石粉通过自组装在基底上形成多孔膜,作为后续掺硼金刚石薄膜生长的赝模板;c.将含有纳米金刚石粉多孔膜的基底通过化学气相沉积法得到多孔掺硼金刚石电极。
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