[发明专利]实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201910630160.7 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112216586B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 雷仲礼 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备，双工位处理器包含两个相邻排列的等离子体处理腔室和一个共享的排气泵，每个等离子体处理腔室内设置一气体注入装置和一用于支撑基片的基座，每个等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置，每个等离子体约束装置下方设有排气区域，每一个等离子体处理腔室与排气泵之间具有两个排气通道，每一个排气通道具有进气口和出气口，进气口连接等离子体处理腔室中的排气区域，出气口连接排气泵。本发明提高了等离子体处理设备中反应腔内基片表面的反应气体分布的均匀度，提高了基片的刻蚀均匀度，提高了基片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 均匀 排气 双工 处理器 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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