[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括：半导体衬底，具有凹陷顶部部分和非凹陷顶部部分；第一鳍，从非凹陷顶部部分向上突出并且具有第一厚度；第二鳍，从凹陷顶部部分向上突出并且具有大于第一厚度的第二厚度；第一栅极结构，在非凹陷顶部部分上并且从非凹陷顶部部分围绕第一鳍至第一高度；和第二栅极结构，在凹陷的顶部上并且从凹陷顶部部分围绕第二鳍至不同于第一高度的第二高度。

主权项

1.一种半导体器件，其包括具有不同栅极长度的至少两个垂直场效应晶体管，所述半导体器件包括：/n半导体衬底，其包括顶表面和底表面，其中，所述顶表面包括相对于所述半导体衬底的底表面处于第一高度的第一顶表面部分和相对于所述半导体衬底的底表面处于第二高度的第二顶表面部分，所述第一高度不同于所述第二高度；/n第一鳍，其从所述半导体衬底的第一顶表面部分突出；/n第二鳍，其从所述半导体衬底的第二顶表面部分突出，所述第一鳍的顶部和所述第二鳍的顶部处于同一水平；/n第一栅极结构，其在所述半导体衬底的第一顶表面部分上，所述第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层上的第一栅极导电层，所述第一栅极结构从所述半导体衬底的顶表面围绕所述第一鳍至第一厚度；以及/n第二栅极结构，其在所述半导体衬底的第二顶表面部分上，所述第二栅极结构包括第二栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层上的第二栅极导电层，所述第二栅极结构从所述半导体衬底的顶表面围绕所述第二鳍至第二厚度，所述第一厚度不同于所述第二厚度。/n