[发明专利]一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源在审

专利信息
申请号: 201910631219.4 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110221648A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 马先林;马奎;郎宁;杨发顺;陈国辉 申请(专利权)人: 贵州导芯集成电路科技有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 商小川
地址: 550081 贵州省贵阳市贵阳国家高新*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源,它包括:耗尽型NMOS管M1;增强型NMOS管M2和M3;增强型PMOS管M4和M5,M1的栅级和源级接VSS;M1的漏级与M4的漏级和栅级相连接;M2的源级与VSS连接;M2的栅级与M3的源级和电阻R1、R2串联电路相连接;电阻R2下端接VSS,上端与R1下端相连接;M2的漏级与M3的栅级、M5的漏级相连接;M3的漏级与电源VCC连接;M4的源级、M5的源级与电源VCC连接;M5的栅级与M4的栅级和漏级相连接;输出vref接到电阻R1、R2之间,电阻R1、R2为可调电阻;解决了电源纹波抑制比不好等技术问题。
搜索关键词: 栅级 源级 电阻 高电源纹波抑制 参考电压源 电源VCC 耗尽型 增强型 电源纹波抑制比 耗尽型NMOS管 串联电路 可调电阻 上端 下端 输出
【主权项】:
1.一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源,它包括:耗尽型NMOS管M1;增强型NMOS管M2和M3;增强型PMOS管M4和M5,其特征在于: M1的栅级和源级接VSS; M1的漏级与M4的漏级和栅级相连接; M2的源级与VSS连接; M2的栅级与M3的源级和电阻R1、R2串联电路相连接;电阻R2下端接VSS,上端与R1下端相连接; M2的漏级与M3的栅级、M5的漏级相连接; M3的漏级与电源VCC连接; M4的源级、 M5的源级与电源VCC连接; M5的栅级与M4的栅级和漏级相连接;输出vref接到电阻R1、R2之间,电阻R1、R2为可调电阻。
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