[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910631402.4 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110396723A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 韩玉昆 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用，属于半导体材料领域。该制备方法包括：组装和长晶，碳化硅多晶块原料设置孔道结构，孔道结构靠近籽晶的一端设置气相出口，原料区内的部分气相原料通过孔道结构自气相出口气相传输至籽晶。本申请以具有孔道结构的碳化硅多晶块制备碳化硅单晶的长晶效率高，制得的碳化硅单晶的质量高、纯度高；利用同一籽晶可以同时生长两块碳化硅单晶锭，两块单晶锭的质量相似、长晶成本低、长晶效率高，长晶路径短、气相传输路径容易控制；通过控制碳化硅单晶的长晶压力变化和压力值，避免了由于碳化硅多晶块的致密性而导致制备高纯半绝缘碳化硅单晶的形核紊乱，提高了碳化硅单晶的长晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 孔道结构 半绝缘碳化硅单晶 多晶块 碳化硅 高纯 籽晶 制备 高效制备 气相出口 气相传输 半导体材料领域 一端设置 单晶锭 致密性 形核 申请 紊乱 应用 组装 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下述步骤：1)组装：在坩埚内设置原料区和籽晶，所述原料区放置至少一个与所述籽晶相对的碳化硅多晶块；2)长晶：将组装完成的坩埚置于长晶炉内，控制长晶炉长晶条件使得所述碳化硅多晶块升华为气相原料，所述气相原料自原料区气相传输至籽晶进行长晶，制得高纯半绝缘碳化硅单晶；其中，所述碳化硅多晶块设置孔道结构，所述孔道结构靠近籽晶的一端设置气相出口，原料区内的部分气相原料通过孔道结构自气相出口气相传输至籽晶。
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