[发明专利]一种γ射线强氧化气氛制备PTFE超细粉的方法

摘要

本发明公开了一种γ射线强氧化氛围制备PTFE超细粉的方法，包括：将干燥地聚四氟乙烯原料置于液氮中急冷；再用粉碎机粉碎成粒径为100‑1000μm的聚四氟乙烯粉料；然后放到钴60装置的自动流水线的盛具中；在自动流水线上先向盛具内通入臭氧，然后喷淋双氧水和四氯化碳，喷淋结束后再通过钴60装置时进行辐照，辐照剂量40‑60KGy，辐照时间根据钴60装置的放射性大小决定；自动流水线将经辐照的聚四氟乙烯粉料运输到辐照室外；放入气流粉碎系统，充分粉碎即可得到粒径在5μm以下的聚四氟乙烯超细粉。通过上述方式本发明的方法能够降低聚四氟乙烯化学键打开的能级，增加在相同辐射能级下更高的降解效率和更快的降解速度，以获得平均粒度分布更窄的聚四氟乙烯微粒。

主权项

1.一种γ射线强氧化气氛制备PTFE超细粉的方法，其特征在于，所述γ射线强氧化气氛制备PTFE超细粉的方法包括如下步骤：(1)将干燥的聚四氟乙烯原料用液氮进行急冷处理；将急冷处理后的聚 四氟乙烯原料粉碎成粒径为100‑1000μm的粉料；(2)将聚四氟乙烯粉料放入盛具中，所述盛具密封且位于贯穿钴60辐照室的自动流水线上，其内设置有至少2个喷淋装置接口和至少1个臭氧释放装置接口，钴60辐照室包括位于辐照室中间的至少1个钴60辐照装置、经过钴60 辐照装置的自动流水线、至少1个臭氧释放装置、至少1个双氧水喷淋装置和至少1个四氯化碳喷淋装置以及辐射隔离墙与控制室；(3)聚四氟乙烯粉料随着开启的自动流水线匀速进入辐照室，在聚四氟 乙烯粉料经过至少1个钴60辐照装置时，所述至少1个臭氧释放装置向盛具内通入臭氧，通入臭氧结束15s以后，控制双氧水和四氯化碳喷淋装置同时启动向聚四氟乙烯粉料喷淋双氧水和四氯化碳， 通入的臭氧与聚四氟乙烯粉料的重量比为0.1％‑0.5％，喷淋的双氧水与聚四氟乙烯粉料的重量比为2％‑6％，喷淋的四氯化碳与聚四氟乙烯粉料的重量比为2％‑6％，喷淋的双氧水和四氯化碳的总量与聚四氟乙烯粉料的重量比为4％‑10％，；(4)在经过所述至少1个钴60辐照装置时，至少1个钴60辐照装置产 生的伽马射线对聚四氟乙烯粉料进行辐照，辐照剂量为40‑60KGy；(5)装有经过辐照的聚四氟乙烯粉料的盛具由自动流水线运出辐照室；(6)用气流粉碎机将经过辐照的聚四氟乙烯粉料进行再粉碎、分级，聚四氟乙烯细粉分散成平均粒径5μm以下的聚四氟乙烯超细粉；如权利要求1所述的γ射线强氧化气氛制备PTFE超细粉的方法，其特征在于，所述至少1个钴60辐照装置 为单栅板钴源或者双栅板钴源。