[发明专利]一种评估电容式非接触位移测量系统稳定性的装置及方法在审

专利信息
申请号: 201910634114.4 申请日: 2019-07-15
公开(公告)号: CN110230974A 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 李杨宗;段发阶;叶德超;周琦 申请(专利权)人: 善测(天津)科技有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘子文
地址: 300380 天津市西青区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种评估电容式非接触位移测量系统稳定性的装置及方法,评估装置用于等效于电容式位移传感器探头与待测面间隙恒定不变时的状态,所述评估装置由标准电容和三同轴电缆相互连接构成,其中所述三同轴电缆包括外屏蔽层、内屏蔽层和芯极,标准电容的两端分别与所述三同轴电缆一端的外屏蔽层和芯极连接,三同轴电缆的另一端通过连接公头、连接母头和三同轴延伸电缆最终与电容式非接触位移测量系统连接。
搜索关键词: 同轴电缆 位移测量系统 电容式 非接触 标准电容 评估装置 外屏蔽层 芯极 电容式位移传感器 间隙恒定 连接公头 连接母头 内屏蔽层 待测面 三同轴 评估 探头 电缆 延伸
【主权项】:
1.一种评估电容式非接触位移测量系统稳定性的装置,其特征在于,包括评估装置,所述评估装置用于等效于电容式位移传感器探头与待测面间隙恒定不变时的状态,所述评估装置由标准电容和三同轴电缆相互连接构成,其中所述三同轴电缆包括外屏蔽层、内屏蔽层和芯极,标准电容的两端分别与所述三同轴电缆一端的外屏蔽层和芯极连接,三同轴电缆的另一端通过连接公头、连接母头和三同轴延伸电缆最终与电容式非接触位移测量系统连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于善测(天津)科技有限公司,未经善测(天津)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910634114.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top