[发明专利]一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201910634343.6 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110473873B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 高兴森;陈洪英;田国 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：选择Zr:Ti＝7:3的PZT靶材，采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱形相PZT薄膜；S3：转移单层PS小球至PZT薄膜表面作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的菱形相PZT纳米点阵列，其为中心型拓扑畴结构。本发明制得的有序铁电拓扑畴结构阵列达到纳米级别，是一种高密度有序纳米点阵列结构。铁电拓扑畴结构之间相互独立，可由外加电场调控，同时具有良好的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有序 拓扑 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；/nS2：选择Zr:Ti＝7:3的PZT靶材，采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱形相PZT薄膜；/nS3：转移单层PS小球至PZT薄膜表面作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的菱形相PZT纳米点阵列，其为中心型拓扑畴结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
