[发明专利]半导体制造装置以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910634442.4 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110729210B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小桥英晴;保坂浩二;松崎由树 | 申请（专利权）人： | 捷进科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造装置以及半导体器件的制造方法，其要解决的课题在于，在通过相机进行拍摄而检测到了裸芯片表面上的异常时，很难通过拍摄图像来判断该异常是裂痕还是因异物而引起的。该半导体制造装置具有拍摄裸芯片的拍摄装置；具有相对于拍摄装置的光学轴以小于45度的角度向裸芯片照射光的第一状态和以大于45度的角度向裸芯片照射光的第二状态的照明装置；以及控制拍摄装置和照明装置的控制装置。控制装置基于将照明装置设为第一状态并通过拍摄装置拍摄裸芯片而得到的第一图像、以及将照明装置设为第二状态并通过拍摄装置拍摄裸芯片而得到的第二图像，来识别裸芯片表面的异常。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 以及 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有：/n拍摄装置，其拍摄裸芯片；/n照明装置，其具有相对于所述拍摄装置的光学轴以小于45度的角度向所述裸芯片照射光的第一状态、以及相对于所述拍摄装置的光学轴以大于45度的角度向所述裸芯片照射光的第二状态；以及/n控制装置，其控制所述拍摄装置和所述照明装置，/n所述控制装置基于将所述照明装置设为所述第一状态并通过所述拍摄装置拍摄所述裸芯片而得到的第一图像、以及将所述照明装置设为所述第二状态并通过所述拍摄装置拍摄所述裸芯片而得到的第二图像，来识别所述裸芯片的表面的异常。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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