[发明专利]铬离子掺杂的锗硅酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铬离子掺杂的锗硅酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法，发光材料的化学表达式为Na2CaGe6‑xSiO14：xCr3+，其中，0.002≤x≤0.02。按化学表达式中各化学组成的化学计量比称取各原料，混合研磨至微米级；高温下煅烧，随炉冷却至室温，研磨，制得铬离子掺杂的锗硅酸盐近红外长余辉发光材料。本发明制备方法以Na2CaGe5SiO14作为发光材料基质、三价铬离子作为发光激活剂制备具有余辉时间长、强度高等优点的近红外长余辉发光材料，制备方法简单、效率高，无需添加助溶剂，无废水废气排放，环境友好，适合工业化、连续化生产。

主权项

1.一种铬离子掺杂的锗硅酸盐近红外长余辉发光材料，其特征在于，其化学表达式为Na₂CaGe_6‑xSiO₁₄：xCr³⁺，其中，0.002≤x≤0.02。