[发明专利]一种基于异质外延Ga2

摘要

本发明公开了一种Ga2O3深紫外探测器的制备方法，主要解决现有技术反应温度高、设备工艺复杂的问题。其实现方案是：1.配制前体乙酰丙酮镓水溶液；2.清洗蓝宝石衬底；3.通过Mist‑Cvd设备，将前体乙酰丙酮镓水溶液超声雾化，并在清洗后的蓝宝石衬底上加热生长为Ga2O3薄膜；4.通过光刻工艺在生长了Ga2O3薄膜的样品上制作电极图形；5.在带有电极图形的Ga2O3薄膜上制作金属电极，完成Ga2O3深紫外探测器的制作。本发明工艺简单，易于实现，即仅需要较低的合成温度就能在短时间内获得高质量薄膜。光电测试表明，用本发明制作的深紫外光电探测器具有很高的响应度和很快的响应时间，可用于探测器的制备。

主权项

1.一种基于异质外延Ga₂O₃薄膜深紫外光电探测器的制备方法，包括：(1)将乙酰丙酮镓溶于去离子水中，再加入体积比为百分之一的盐酸，制成浓度为0.02‑0.2mol/L乙酰丙酮镓前体水溶液；(2)选择C面(0001)晶向蓝宝石作为衬底，并对其进行清洗；(3)将乙酰丙酮镓前体水溶液加入频率1.7MHz的超声雾化器中雾化为气体，并通过空气、氧气、氮气将雾化生成的气体输送到反应炉中，载气速率为0.1‑8L/min,反应炉设置反应温度300℃‑800℃，反应时间10min‑2h，雾化气体在C面(0001)晶向蓝宝石衬底上发生分解、氧化反应，生长成50nm‑2000nm厚的Ga₂O₃薄膜样品；(4)通过光刻工艺在Ga₂O₃薄膜样品上制作出探测器插指型金属电极图形；(5)使用电子束蒸发技术，在插指金属电极图形样品上沉积金属电极，并用丙酮浸泡沉积金属电极的样品30min，剥离掉多余金属，完成整个器件的制作。