[发明专利]蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率的量测方法有效
| 申请号： | 201910634590.6 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110426451B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梅园 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
一种蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率量测方法被提供,所述蚀刻速率量测装置包括:石英晶体振荡片,用于输出一振荡频率；集流体层,均匀地形成于所述石英晶体振荡片上,作为一电极；薄膜金属层,形成于所述集流体层上；遮蔽层,形成于所述薄膜金属层上,用于遮蔽所述薄膜金属层中不被蚀刻的部分；以及外接电路,与所述集流体层电连接；其中,所述集流体层汇集来自所述外接电路的电流,对所述石英晶体振荡片施加一电场,所述石英晶体振荡片根据所述薄膜金属层的质量输出一相对应的振荡频率。所述侧向蚀刻速率量测方法经由所述蚀刻速率量测装置并根据方程式(1)获得一待量测薄膜金属层的侧向蚀刻速率: |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 速率 装置 侧向 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻速率量测装置,其特征在于,包括:石英晶体振荡片,用于输出一振荡频率；集流体层,均匀地形成于所述石英晶体振荡片上,作为一电极；薄膜金属层,形成于所述集流体层上；遮蔽层,形成于所述薄膜金属层上,用于遮蔽所述薄膜金属层中不被蚀刻的部分；以及外接电路,与所述集流体层电连接；其中,所述集流体层汇集来自所述外接电路的电流,对所述石英晶体振荡片施加一电场,所述石英晶体振荡片根据所述薄膜金属层的质量输出一相对应的振荡频率。
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