[发明专利]结晶性层叠结构体和半导体装置有效
| 申请号： | 201910634597.8 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110310996B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/04;H01L21/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 文哲;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体以及半导体装置。所述结晶性层叠结构体包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 层叠 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性层叠结构体，包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。
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