[发明专利]一种基于SOI衬底的电容隔离结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910634642.X | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110350026B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 徐大伟;程新红;刘天天;黄晓义 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64;H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI衬底的电容隔离结构及其制备方法，所述结构包括：SOI硅片，包括依次叠加的衬底硅、埋氧层和顶层硅；顶层硅包括第一硅岛和第二硅岛，第一硅岛用于制备低压端电路，第二硅岛用于制备高压端电路；隔离槽，设置在第一硅岛和第二硅岛之间；所述隔离槽的底部设置屏蔽层，所述屏蔽层上设置屏蔽介质层，所述屏蔽介质层上设置隔离电容下极板，所述隔离电容下极板与第一硅岛电连接；第一介质层，覆盖隔离电容下极板、第一硅岛和第二硅岛；第二介质层，设置在第一介质层上，第二介质层的顶部设置隔离电容上极板，隔离电容上极板与第二硅岛电连接，本发明无需额外的厚膜介质工艺，实现单芯片高压隔离，节约了成本和制备流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 衬底 电容 隔离 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI衬底的电容隔离结构，其特征在于，包括：SOI硅片(1)，包括依次叠加的衬底硅(11)、埋氧层(12)和顶层硅(13)；所述顶层硅(13)包括第一硅岛(131)和第二硅岛(132)，所述第一硅岛(131)用于制备低压端电路，所述第二硅岛(132)用于制备高压端电路；隔离槽(2)，设置在所述第一硅岛(131)和所述第二硅岛(132)之间，所述隔离槽(2)的底部露出所述埋氧层(12)上表面一部分；所述隔离槽(2)的底部设置屏蔽层(21)，所述屏蔽层(21)上设置屏蔽介质层(22)，所述屏蔽介质层(22)上设置隔离电容下极板(3)，所述隔离电容下极板(3)与所述第一硅岛(131)电连接；第一介质层(4)，设置在所述隔离电容下极板(2)上，并且覆盖所述隔离电容下极板(2)、所述第一硅岛(131)和所述第二硅岛(132)；第二介质层(5)，设置在所述第一介质层(4)上，所述第二介质层(5)的顶部设置隔离电容上极板(6)，所述隔离电容上极板(6)与所述第二硅岛(132)电连接。
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