[发明专利]一种低相噪振荡器有效

专利信息
申请号: 201910638360.7 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110289814B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 肖飞;徐俊;亓孝博;唐小宏 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种低相噪振荡器,基于混合谐振腔结构,混合谐振腔结构由上金属层(1)、上介质基片层(2)、中间介质基片层(3)、下介质基片层(4)和下金属层(5)等五层结构通过螺钉铆合而成。实施例的仿真和测试结果表明:输出频率在11.158GHz,输出功率为‑1.6dBm,在偏离100KHz频率处测得的相位噪声为‑120.68dBc/Hz,二次谐波抑制度为51.49dBc。该振荡器具有低相位噪声、良好的谐波抑制、容易加工,便于集成以及低成本等优点。
搜索关键词: 一种 低相噪 振荡器
【主权项】:
1.一种低相噪振荡器,其特征在于:在中间基片层(3)的金属上覆层内,第一环形结构(H1)的第一端口(1)连接第二传输线节(M2)的一端,第二传输线节(M2)的另一端与第一混合谐振腔(r1)进行耦合,第一混合谐振腔(r1)同时与第二混合谐振腔(r2)耦合,第二混合谐振腔(r2)耦合到第三传输线节(M3)的一端;第三传输线节(M3)的另一端连接到第二环形结构(H2)的第一端口(1′),第二环形结构(H2)的第二端口(2′)连接第四传输线节(M4)的一端,在第四传输线节(M4)上依次加载了第一变容管(CV1)、第二变容管(CV2)、第一扇形枝节(S1)、第一电容(C1)、第二扇形枝节(S2)、第三变容管(CV3)和第四变容管(CV4),第四传输线节(M4)的另一端连接到第二环形结构(H2)的第三端口(3′);第二环形结构(H2)的第四端口(4′)连接第五传输线节(M5)的一端,第五传输线节(M5)的另一端连接到第二平行耦合双线结构(P2)的一端,第二平行耦合双线结构(P2)的另一端连接枝节加载的第六传输线节(M6)的一端,枝节加载的第六传输线节(M6)的另一端连接到晶体管(T)的一端,晶体管(T)的另外一端连接枝节加载的第八传输线节(M8)的一端;在枝节加载的第六传输线节(M6)的中间还连接第七传输线节(M7)的一端,第七传输线节(M7)上依次加载第三扇形枝节(S3)、第二电容(C2)、第二电阻(R2)和第四扇形枝节(S4),第七传输线节(M7)的另一端连接到枝节加载的第八传输线节(M8)的中间;枝节加载的第八传输线节(M8)的另一端连接到第一平行耦合双线结构(P1)的一端,第一平行耦合双线结构(P1)的另一端连接第九传输线节(M9)的一端,第九传输线节(M9)的另一端连接到第一环形结构(H1)的第二端口(2),第一环形结构(H1)的第三端口(3)连接第一电阻(R1),第一环形结构(H1)的第四端口(4)连接第一传输线节(M1)的一端,第一传输线节(M1)的另一端输出信号;第一混合谐振腔(r1)和第二混合谐振腔(r2)通过金属化通孔(VH)围列而成,且周围有安装通孔(Hole);使用螺钉通过安装通孔(Hole),对应第一混合谐振腔(r1)和第二混合谐振腔(r2)所在的区域,将上金属层(1)、上介质基片层(2)、中间介质基片层(3)、下介质基片层(4)和下金属层(5)紧密铆合在一起。
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