[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201910638421.X | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111180357B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 高居康介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李智;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一实施方式，提供一种基板处理装置，具备喷嘴、支撑部、处理液供给部、第1介质供给部及第2介质供给部。所述喷嘴以与基板的第1面相对的方式配置。所述支撑部配置于所述第1面与所述喷嘴之间，相对于所述喷嘴隔开预定的距离而支撑所述基板。所述处理液供给部向所述基板的与所述第1面相对的第2面供给处理液。所述第1介质供给部从设置于所述喷嘴的第1供给口向所述喷嘴与所述基板的第1面之间的空间供给第1介质。所述第2介质供给部从设置于所述喷嘴的比所述第1供给口靠周缘部处的第2供给口向所述空间供给温度比所述第1介质高的第2介质。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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