[发明专利]非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910638571.0 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110373713B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 金立川;贾侃成;李之仪;张怀武;唐晓莉;钟智勇;向全军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B23/02;C30B29/28;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片，以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜，其中，所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜，其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。另一方面，本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比，并未发生明显改变，仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜，为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案，在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 非互易 自旋 波导 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非互易自旋波波导材料，其特征在于，包括GGG单晶基片，以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜。
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