[发明专利]一种稀土倍半氧化物激光晶体生长方法有效
| 申请号： | 201910638970.7 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111041558B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杭寅;张书隆;何明珠;蔡双;朱影;李善明;徐民;张连翰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/24;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种稀土倍半氧化物激光晶体的生长方法，晶体生长采用冷坩埚法，生长过程包括装炉、引燃、熔料、热平衡、生长和冷却六个步骤，利用水冷铜管使原料外部形成一层未熔壳起到坩埚作用，生长出所需尺寸的稀土倍半氧化物激光晶体。本发明能够避免坩埚对熔体的污染，可以在较短时间内生长出高质量的稀土倍半氧化物激光晶体，并可重复利用生长过程中的结晶余料，降低生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 氧化物 激光 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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