[发明专利]超临界流体制备高纯度硅的方法在审

专利信息
申请号: 201910639067.2 申请日: 2019-07-11
公开(公告)号: CN112209381A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 彭靖;马承愚;彭英利;周玉 申请(专利权)人: 深圳市智合碳硅科技有限公司
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 采用超临界水作为制备高纯硅的介质,在超临界状态(500‑600℃和25‑35MPa)下及氢气参与下,对同程进入反应系统的硅质原料进行处理,使硅材料中的微量杂质发生分离和还原反应,在较短时间内,杂质被去除,同时还原成为高纯度硅单质。制备过程中,超临界水与H2合理配合,在高温高压条件下和密闭的反应装置中形成均相的超临界混合流体,以极快速度(1‑3min)使硅原料发生溶解、还原、去杂、聚集和沉积分离过程,制备出高纯度晶体硅。
搜索关键词: 临界 流体 制备 纯度 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市智合碳硅科技有限公司,未经深圳市智合碳硅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910639067.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top