[发明专利]超临界流体制备高纯度硅的方法在审
申请号: | 201910639067.2 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN112209381A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 彭靖;马承愚;彭英利;周玉 | 申请(专利权)人: | 深圳市智合碳硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/023 | 分类号: | C01B33/023 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
采用超临界水作为制备高纯硅的介质,在超临界状态(500‑600℃和25‑35MPa)下及氢气参与下,对同程进入反应系统的硅质原料进行处理,使硅材料中的微量杂质发生分离和还原反应,在较短时间内,杂质被去除,同时还原成为高纯度硅单质。制备过程中,超临界水与H |
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搜索关键词: | 临界 流体 制备 纯度 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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