[发明专利]改变拉曼光谱探测倾角的单晶硅主应力检测方法和装置

摘要

本发明提供了改变拉曼光谱探测倾角的单晶硅主应力检测方法和装置，包括：获取被测样品和被测样品的主应力方向夹角；设定入射光偏振角和散射光偏振角；设定探测倾角；根据主应力方向夹角、探测倾角、入射光偏振角和散射光偏振角，得到主应力和的频移系数和主应力差的频移系数；获取第一探测倾角对应的第一拉曼频移增量及第二探测倾角对应的第二拉曼频移增量；根据探测倾角对应的拉曼频移增量与第一主应力和第二主应力之间的线性关系、第一拉曼频移增量、第二拉曼频移增量、主应力和的频移系数和主应力差的频移系数，得到第一主应力和第二主应力。本发明适用于单晶硅{100}晶面的两个主应力解耦分析，能够有效表征出真实的应力状态与应力水平。

主权项

1.一种改变拉曼光谱探测倾角的单晶硅主应力检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取被测样品；获取所述被测样品的主应力方向夹角；设定入射光偏振角和散射光偏振角；设定探测倾角为第一探测倾角和第二探测倾角；根据所述主应力方向夹角、所述探测倾角、所述入射光偏振角和所述散射光偏振角，得到主应力和的频移系数和主应力差的频移系数；获取所述探测倾角对应的拉曼频移增量，其中，所述第一探测倾角对应的为第一拉曼频移增量，所述第二探测倾角对应的为第二拉曼频移增量；根据所述探测倾角对应的拉曼频移增量与第一主应力和第二主应力之间的线性关系、所述第一拉曼频移增量、所述第二拉曼频移增量、所述主应力和的频移系数和所述主应力差的频移系数，得到所述第一主应力和所述第二主应力；其中，所述主应力方向夹角为所述第一主应力方向与所述被测样品的被测表面晶向的夹角，所述入射光偏振角为拉曼系统入射光起偏方向在晶面上的投影与所述被测表面晶向的夹角，所述散射光偏振角为所述拉曼系统散射光检偏方向在所述晶面上的投影与所述被测表面晶向的夹角，所述探测倾角为所述被测样品的法向与拉曼探测光轴的夹角，所述第一探测倾角与所述第二探测倾角不相等。