[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910639471.X | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242441A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 江怀慈;林胜豪;刘冠宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含一缓冲层、一载流子传输层、一载流子供应层、一栅极、一源极电极以及一漏极电极。缓冲层位于一基底上。载流子传输层位于缓冲层上。载流子供应层位于载流子传输层上。栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于栅极的相对两侧，其中源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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