[发明专利]半导体装置以及用于产生其布局图的方法和系统在审

专利信息
申请号: 201910639704.6 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110728107A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 彭士玮;刘俊宏;曾健庭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;H01L27/02
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 龚诗靖
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明实施例涉及半导体装置以及用于产生其布局图的方法和系统。一种(产生布局图的)方法包含:对于包含第一和第二有源区域图案、具有大体上平行于竖直方向VEP的第一和第二边缘部分EP以及对应地邻近于所述第一和第二VEP的第一和第二VEP邻近区的单元边界CB的第一单元:将所述第一VEP邻近区VAR配置为第一有源区域AA连续(AA连续)区,其中第一有源区域图案在水平方向上从所述第一单元的内部向所述第一VEP延伸;以及将所述第二VAR配置为第一AA不连续区,第二有源区域图案在所述水平方向上从所述第一单元的所述内部朝向所述第二VEP延伸,且所述第二有源区域图案的第一端和表示所述第一AA不连续区的所述第二VEP之间存在第一间隙。
搜索关键词: 源区域 图案 不连续 布局图 邻近区 半导体装置 单元边界 第一端 延伸 配置 竖直 平行
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,所述方法包括:/n针对存储在非暂时性计算机可读介质上的布局图,产生布局图,所述布局图包含:/n对于包含第一和第二有源区域图案、具有大体上平行于竖直方向的第一和第二边缘部分VEP以及对应地邻近于所述第一和第二VEP的第一和第二VEP邻近区的单元边界CB的第一单元:/n将所述第一VEP邻近区VAR配置为第一有源区域AA连续(AA连续)区,其中第一有源区域图案在水平方向上从所述第一单元的内部向所述第一VEP延伸;以及/n将所述第二VAR配置为第一AA不连续区,第二有源区域图案在所述水平方向上从所述第一单元的所述内部朝向所述第二VEP延伸,且所述第二有源区域图案的第一端和表示所述第一AA不连续区的所述第二VEP之间存在第一间隙。/n
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