[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910639782.6 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242442A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包含：具有沿着一第一方向延伸的多个第一沟槽的基板结构、位于基板结构上的成核层、位于成核层上的化合物半导体层、位于化合物半导体层上的栅极、以及位于化合物半导体层上且位于栅极的两侧的源极及漏极。本发明提供的半导体结构可有效阻挡在半导体结构的主动区中空间电荷的垂直扩张，避免空间电荷延伸至基板结构中的导电层而导通所造成的基板击穿，进而提升击穿电压，以允许薄型化的半导体结构应用于高电压操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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