[发明专利]量子点光电探测器以及制备方法在审

专利信息
申请号: 201910640177.0 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110364627A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 王恺;李晨昊;孙小卫;郑凡凯;刘皓宸 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种量子点光电探测器以及制备方法,包括:基底;形成在所述基底上的阳极;形成在所述阳极上的空穴传输层;形成在所述空穴传输层上的电子阻挡层;形成在所述电子阻挡层上的量子点有源层;形成在所述量子点有源层上的空穴阻挡层;形成在所述空穴阻挡层上的电子传输层;形成在所述电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案,通过空穴阻挡层阻挡阴极的注入空穴从阴极向量子点有源层传输,电子阻挡层阻挡阳极的注入电子从阳极向量子点有源层传输,减小了暗电流,从而增强了光电探测器的光电性能。
搜索关键词: 量子点 阳极 源层 阴极 电子阻挡层 光电探测器 空穴阻挡层 电子传输层 空穴传输层 基底 制备 空穴 阻挡 光电性能 传输 暗电流 减小
【主权项】:
1.一种量子点光电探测器,其特征在于,包括:基底;形成在所述基底上的阳极;形成在所述阳极上的空穴传输层;形成在所述空穴传输层上的电子阻挡层;形成在所述电子阻挡层上的量子点有源层;形成在所述量子点有源层上的空穴阻挡层;形成在所述空穴阻挡层上的电子传输层;形成在所述电子传输层上的阴极。
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