[发明专利]一种靶材及提高靶材利用率的方法与应用有效
申请号: | 201910640529.2 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN110241392B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;蒋云霞;王学泽;呼雷 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种靶材及提高靶材利用率的方法与应用,所述方法包括如下步骤:使靶材的塑性变形量≥70%,然后对变形后的靶材进行第一热处理,自然冷却后得到经预处理的靶材;对经预处理的靶材的溅射最快区域进行第二热处理。本发明通过对靶材的溅射最快区域进行热处理,使溅射最快区域内的靶材晶粒的粒径增大,从而降低溅射最快区域的溅射速度,使靶材的利用率从35%提升至43%,且成膜效果良好,所述方法无需对磁场强度进行调节,也不需要对靶材的厚度进行调节,从而在保证磁控溅射强度的前提下提高了靶材的利用率,且所述方法的通用性高,可应用于不同强度的磁场环境;所述方法得到的靶材应用于磁控溅射时具有较高的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 利用率 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种提高靶材利用率的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)使靶材的塑性变形量≥70%,然后对变形后的靶材进行第一热处理,自然冷却后得到经预处理的靶材;(2)对步骤(1)所得经预处理的靶材的溅射最快区域进行第二热处理。
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